东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款面向车载48v电气系统应用的新型100v n沟道功率mosfet。该系列包括具备低导通电阻的“xph4r10anb”-其漏极电流为70a，以及“xph6r30anb”-其漏极电流为45a。批量生产和出货计划于开始。
新产品是东芝首款[1]采用紧凑型sop advance（wf）封装的车用100v n沟道功率mosfet。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型mosfet的低导通电阻有利于降低设备功耗；xph4r10anb拥有业界领先的[2]低导通电阻。
应用：
・汽车设备
电源装置（dc-dc转换器）和led头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）
特性：
・东芝的首款[1]100v车用产品使用小型表面贴装sop advance（wf）封装
・通过aec-q101认证
・低导通电阻：
rds(on)=4.1mΩ（最大值）@vgs=10v（xph4r10anb）
rds(on)=6.3mΩ（最大值）@vgs=10v（xph6r30anb）
・采用可焊锡侧翼端子结构的sop advance（wf）封装
编辑：muyan来源：eeworld

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